irf540场效应管参数

irf540n参数列表如下：

晶体管极性:N沟道

漏极电流， Id 最大值:33A

电压， Vds 最大:100V

开态电阻， Rds(on):0.04ohm

电压 @ Rds丈量:10V

电压， Vgs 最高:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率， Pd:120W

器材符号:IRF540N

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度@电流丈量:25°C

满功率温度:25°C

热阻， 结至外壳 A:1.1°C/W

电压 Vgs @ Rds on 丈量:10V

电压， Vds 典型值:100V

电流， Id 接连:27A

电流， Idm 脉冲:110A

阈值电压， Vgs th 典型值:4V